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Jüngste und künftige Entwicklungen

Um möglichst viele Schaltkreise auf einem Chip zu platzieren, kommen bei der Chipherstellung z. B. die Elektronenstrahl-, Röntgenstrahl- und die Laserlithographie zum Einsatz. Von besonderem Interesse ist hierbei die EUV-Laserlithographie. Dahinter verbirgt sich Laserlicht im extrem kurzwelligen UV-Bereich (Wellenlängen zwischen 11 und 14 Nanometern). Mit dieser Technik lassen sich Schaltkreise in der Größenordnung von 0,07 Mikrometern erzeugen.

Viel versprechend erscheint auch der Einsatz von so genanntem strained silicon (gedehntes Silicium), einer Entdeckung von IBM-Forschern. Wenn Silicium auf einem Trägermaterial liegt, dehnen sich die Siliciumatome aus, um sich der Anordnung der unter ihnen liegenden Atome anzugleichen. Im „gedehnten Silicium” stoßen die Elektronen auf weniger Widerstand. Dadurch lässt sich die Durchflussgeschwindigkeit und letztendlich auch die Geschwindigkeit des Chips steigern (um schätzungsweise 35 Prozent). Chips dieses Typs sollen ab 2003 in Serienreife gehen.

In künftigen ICs wird nicht mehr Aluminium, sondern Kupfer als Leiterbahn fungieren. Mit Hilfe einer neuen Technik gelang es Chipherstellern, Kupfer anstelle von Aluminium auf die Siliciumoberfläche aufzubringen. Dadurch soll sich die Leistung von Mikroprozessoren um 40 Prozent und damit auch die Arbeitsgeschwindigkeit sowie Speicherkapazität des Rechners steigern lassen.

Ebenfalls interessant sind kürzlich entwickelte Chips, die vollständig aus Kunststoff bestehen. Allerdings ist hier die Leistungsfähigkeit herkömmlicher Chips bei weitem noch nicht erreicht.